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扬杰科技获得发明专利授权:“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”
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文章来源:互联网
证券之星消息,根据企查查数据显示扬杰科技(300373)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”,专利申请号为CN201911209587.6,授权日为2024年5月10日。
专利摘要:一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构、涉及功率半导体器件技术领域,尤其涉及一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。提供了一种方便检测,提供检测可靠性的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的塑封层,所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、制作在衬底底面上的绝缘层、制作在绝缘层上的电极层,所述衬底的材料为单晶硅。本发明的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构的制备工艺与常规氮化镓MOSFET芯片制备和封装工艺兼容,制备过程简单易行。
今年以来扬杰科技新获得专利授权33个,较去年同期增加了83.33%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了3.56亿元,同比增21.57%。
数据来源:企查查
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