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云南锗业获得发明专利授权:“利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法”
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文章来源:互联网
证券之星消息,根据企查查数据显示云南锗业(002428)新获得一项发明专利授权,专利名为“利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法”,专利申请号为CN202210606746.1,授权日为2024年4月30日。
专利摘要:利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法,涉及碳化硅单晶生长领域,具体涉及一种物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状,至少为一块设置在长晶坩埚中,籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm,余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法,相比较传统的余料使用方法或处理工艺,有良好的效果:一是,余料用于再次长晶,避免了资源的浪费,降低了长晶成本;二是,处理的流程较为简单,不容易在处理过程中引入新的杂质;三是,生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
今年以来云南锗业新获得专利授权6个,较去年同期增加了500%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了3894.26万元,同比减13.07%。
数据来源:企查查
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